TaC жабыны бар MOCVD сенсоры

VeTek Semiconductor – TaC жабындары мен SiC жабын бөліктерін зерттеу, әзірлеу, өндіру, жобалау және сатумен айналысатын жан-жақты жеткізуші. Біздің тәжірибеміз жарықдиодты эпитаксия процесінде маңызды рөл атқаратын TaC жабыны бар заманауи MOCVD сусепторын өндіруде жатыр. Бізбен сұрақтар мен қосымша ақпаратты талқылауға шақырамыз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

VeTek Semiconductor - TaC жабыны бар MOCVD Susceptor бойынша маманданған жетекші қытайлық өндіруші, жеткізуші және экспорттаушы. Сізді TaC жабыны бар соңғы сатылымдағы, төмен бағамен және жоғары сапалы MOCVD қабылдағыштарын сатып алу үшін біздің зауытқа келуге шақырамыз. Біз сізбен ынтымақтастықты асыға күтеміз.

Жарықдиодты эпитаксис кристалдардың сапасын бақылау, материалды таңдау және сәйкестендіру, құрылымдық дизайн және оңтайландыру, процесті басқару және консистенция және жарықты алу тиімділігі сияқты қиындықтарға тап болады. Тиісті эпитаксистік пластинаны тасымалдаушы материалды таңдау өте маңызды және оны тантал карбиді (TaC) жұқа қабықпен (TaC жабыны) жабу қосымша артықшылықтар береді.

Эпитаксистік пластинаны тасымалдаушы материалды таңдаған кезде бірнеше негізгі факторларды ескеру қажет:

Температураға төзімділік және химиялық тұрақтылық: жарықдиодты эпитаксия процестері жоғары температураны қамтиды және химиялық заттарды қолдануды қамтуы мүмкін. Сондықтан жоғары температурада және химиялық ортада тасымалдаушының тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін температураға жақсы төзімділік пен химиялық тұрақтылыққа ие материалдарды таңдау қажет.

Бетінің тегістігі және тозуға төзімділігі: эпитаксистік пластинаның біркелкі жанасуын және эпитаксистік пластинаның тұрақты өсуін қамтамасыз ету үшін оның беті жақсы тегіс болуы керек. Сонымен қатар, тозуға төзімділік бетінің зақымдануын және тозудың алдын алу үшін маңызды.

Жылу өткізгіштік: жақсы жылу өткізгіштігі бар материалды таңдау эпитаксистік қабат үшін тұрақты өсу температурасын сақтай отырып, жылуды тиімді түрде таратуға және процестің тұрақтылығы мен консистенциясын жақсартуға көмектеседі.

Осыған байланысты эпитаксистік пластинаны TaC-пен қаптау келесі артықшылықтарды ұсынады:

Жоғары температура тұрақтылығы: TaC жабыны жоғары температурада тамаша тұрақтылықты көрсетеді, бұл оның құрылымы мен өнімділігін жоғары температурадағы эпитаксистік процестер кезінде сақтауға мүмкіндік береді және жоғары температураға төзімділікті қамтамасыз етеді.

Химиялық тұрақтылық: TaC жабыны қарапайым химиялық заттар мен атмосферадан коррозияға төзімді, тасымалдаушыны химиялық деградациядан қорғайды және оның беріктігін арттырады.

Қаттылық пен тозуға төзімділік: TaC жабыны жоғары қаттылық пен тозуға төзімділікке ие, эпитаксистік пластинаның бетін нығайтады, зақымдану мен тозуды азайтады және оның қызмет ету мерзімін ұзартады.

Жылу өткізгіштік: TaC жабыны жақсы жылу өткізгіштігін көрсетеді, жылу диссипациясына көмектеседі, эпитаксистік қабат үшін тұрақты өсу температурасын сақтайды және процестің тұрақтылығы мен консистенциясын жақсартады.

Сондықтан, TaC жабыны бар эпитаксистік пластинаны таңдау жоғары температура мен химиялық ортаның талаптарына жауап беретін жарықдиодты эпитаксияның мәселелерін шешуге көмектеседі. Бұл жабын жоғары температура тұрақтылығы, химиялық тұрақтылық, қаттылық пен тозуға төзімділік және жылу өткізгіштік сияқты артықшылықтарды ұсынады, бұл эпитаксистік пластинаны тасымалдаушының өнімділігін, қызмет ету мерзімін және өндіріс тиімділігін арттыруға ықпал етеді.

TaC жабынының негізгі физикалық қасиеттері:

TaC жабынының физикалық қасиеттері
Тығыздығы	14,3 (г/см³)
Меншікті эмиссия	0.3
Термиялық кеңею коэффициенті	6,3 10-6/К
Қаттылық (HK)	2000 HK
Қарсылық	1×10-5 Ом*см
Термиялық тұрақтылық	<2500℃
Графит өлшемі өзгереді	-10~-20ум
Қаптау қалыңдығы	≥20um типтік мән (35um±10um)