Чиптерді өндіру: MOSFET технологиялық ағыны

Чиптерді өндіру процесі фотолитографияны,ою, диффузия, жұқа пленка, ионды имплантациялау, химиялық механикалық жылтырату, тазалау және т.б.. Бұл мақалада MOSFET жасау үшін бұл процестердің ретімен қалай біріктірілгені шамамен түсіндіріледі.

1. Бізде біріншісубстраткремний тазалығымен 99,9999999% дейін.

2. Кремний кристалды субстратта оксид қабықшасының қабатын өсіріңіз.

3. Фоторезисті біркелкі айналдырыңыз.

4. Фотомаскадағы үлгіні фоторезистке беру үшін фотомаска арқылы фотолитография орындалады.

5. Фотосезімтал аймақтағы фоторезист дамығаннан кейін жуылады.

6. Фоторезистпен жабылмаған оксидті қабықшаны офорт арқылы алып тастаңыз, осылайша фотолитография үлгісі көшіріледі.вафли.

7. Артық фоторезистті тазалаңыз және алып тастаңыз.

8. Басқа сұйылтқышты жағыңызоксидті пленка. Осыдан кейін, жоғарыдағы фотолитография және ою арқылы тек қақпа аймағындағы оксидті қабықша сақталады.

9. Оның үстіне полисилиций қабатын өсіріңіз

10. 7-қадамдағыдай, қақпа оксиді қабатында тек полисилицийді сақтау үшін фотолитографияны және оюды пайдаланыңыз.

11. Тотықты қабат пен қақпаны фотолитографиямен тазалау арқылы жабыңыз, осылайша бүкіл пластинаны өңдеңіз.ионды имплантацияланған, және көзі мен ағызу болады.

12. Вафлиге оқшаулағыш пленка қабатын өсіріңіз.

13. Көздің, қақпаның және дренаждың жанасу саңылауларын фотолитография және офорт әдісімен ойып алыңыз.

14. Содан кейін қайнар көзге, қақпаға және дренажға арналған өткізгіш металл сымдар болатындай етіп оюланған жерге металды салыңыз.

Соңында, толық MOSFET әртүрлі процестердің комбинациясы арқылы жасалады.

Шындығында, чиптің төменгі қабаты транзисторлардың үлкен санынан тұрады.

MOSFET өндіру диаграммасы, көзі, қақпасы, дренажы

Әртүрлі транзисторлар логикалық қақпаларды құрайды

Логикалық қақпалар арифметикалық бірліктерді құрайды

Ақырында, бұл тырнақ көлеміндей чип