SiC жабын жинағыштың астыңғы жағы

VeTek Semiconductor - өндіруші жоғары сапалы CVD TaC жабыны мен CVD SiC жабыны коллекторының астын қамтамасыз етуге және тұтынушыларымыздың қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін Aixtron жабдығымен тығыз жұмыс істеуге міндеттенеді. Процесті оңтайландыруда немесе жаңа өнімді әзірлеуде біз сізге техникалық қолдау көрсетуге және кез келген сұрақтарыңызға жауап беруге дайынбыз.

Aixtron SiC жабын жинағышының үстіңгі, Коллектор орталығы және SiC жабыны коллекторының астыңғы өнімдері. Бұл өнімдер жартылай өткізгіштерді өндірудің озық процестерінде қолданылатын негізгі компоненттердің бірі болып табылады.

Aixtron жабдығындағы Aixtron SiC қапталған коллектор үстіңгі, коллектор орталығы және коллектор түбінің комбинациясы келесі маңызды рөлдерді атқарады:

Жылуды басқару: Бұл компоненттер тамаша жылу өткізгіштікке ие және жылуды тиімді өткізе алады. Жартылай өткізгіштер өндірісінде жылуды басқару өте маңызды. Коллектордың үстіңгі жағындағы, Коллектор орталығындағы және кремний карбидімен қапталған коллектордың астыңғы жағындағы SiC жабындары жылуды тиімді кетіруге, тиісті технологиялық температураны сақтауға және жабдықтың термиялық басқаруын жақсартуға көмектеседі.

Химиялық инерция және коррозияға төзімділік: Aixtron SiC қапталған коллектордың үстіңгі бөлігі, коллектор орталығы және SiC жабыны коллекторының астыңғы бөлігі тамаша химиялық инерцияға ие және химиялық коррозияға және тотығуға төзімді. Бұл оларға қатты химиялық ортада ұзақ уақыт бойы тұрақты жұмыс істеуге мүмкіндік береді, сенімді қорғаныс қабатын қамтамасыз етеді және компоненттердің қызмет ету мерзімін ұзартады.

Электрондық сәуленің булану процесін қолдау: Бұл компоненттер Aixtron жабдығында электронды сәуленің булану процесін қолдау үшін пайдаланылады. Коллектордың үстіңгі қабатының, коллектор орталығының және SiC жабын жинағышының астыңғы қабатының дизайны мен материалын таңдау пленканың біркелкі тұндырылуына қол жеткізуге көмектеседі және пленка сапасы мен дәйектілігін қамтамасыз ету үшін тұрақты субстратты қамтамасыз етеді.

Пленка өсіру ортасын оңтайландыру: Коллектордың үстіңгі қабаты, Коллектор орталығы және SiC жабыны коллекторының төменгі бөлігі Aixtron жабдығында пленка өсіру ортасын оңтайландырады. Қаптаманың химиялық инерттілігі мен жылу өткізгіштігі қоспалар мен ақауларды азайтуға және пленканың кристалдық сапасы мен консистенциясын жақсартуға көмектеседі.

Aixtron SiC жабыны бар коллектор үстіңгі, коллектор орталығы және SiC жабыны коллекторының түбін пайдалану арқылы жартылай өткізгішті өндіру процестерінде жылуды басқаруға және химиялық қорғауға қол жеткізуге, пленканың өсу ортасын оңтайландыруға және пленканың сапасы мен консистенциясын жақсартуға болады. Aixtron жабдығындағы осы компоненттердің үйлесімі тұрақты технологиялық жағдайларды және жартылай өткізгіштердің тиімді өндірісін қамтамасыз етеді.

CVD SiC жабынының негізгі физикалық қасиеттері:

Өнеркәсіптік тізбек:

Өндірістік цех