SiC жабынының қақпақ сегменттері ішкі

VeTek Semiconductor компаниясында біз CVD SiC және CVD TaC жабындарын зерттеуге, әзірлеуге және индустрияландыруға маманданамыз. Үлгілі өнімдердің бірі - SiC Coating Cover Segments Inner, ол жоғары дәлдікпен және тығыз жабылған CVD SiC бетіне қол жеткізу үшін ауқымды өңдеуден өтеді. Бұл жабын жоғары температураға ерекше төзімділік көрсетеді және берік коррозиядан қорғауды қамтамасыз етеді. Кез келген сұрақтар бойынша бізге хабарласыңыз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Жоғары сапалы SiC жабынының қақпақ сегменттерінің ішкі бөлігін қытайлық VeTek Semicondutor өндірушісі ұсынады. Төмен бағамен жоғары сапалы SiC жабынының қаптамасының сегменттерін (ішкі) сатып алыңыз.

VeTek Semiconductor SiC жабынының қаптамасының сегменттері (ішкі) өнімдері Aixtron MOCVD жүйесі үшін жетілдірілген жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінде қолданылатын маңызды құрамдас бөліктер болып табылады.

Мұнда өнімнің қолданылуы мен артықшылықтарын көрсететін біріктірілген сипаттама берілген:

Біздің 14x4 дюймдік SiC жабынының толық сегменттері (ішкі) Aixtron жабдығында пайдаланылған кезде келесі артықшылықтар мен қолдану сценарийлерін ұсынады:

Perfect Fit: бұл қақпақ сегменттері тұрақты және сенімді өнімділікті қамтамасыз ететін Aixtron жабдығына біркелкі сәйкес келу үшін дәл жобаланған және жасалған.

Тазалығы жоғары материал: жартылай өткізгішті өндіру процестерінің қатаң тазалық талаптарын қанағаттандыру үшін жабын сегменттері жоғары таза материалдардан жасалған.

Жоғары температураға төзімділік: Қақпақ сегменттері жоғары температуралық процесс жағдайында деформациясыз немесе зақымданбай тұрақтылықты сақтай отырып, жоғары температураға тамаша төзімділік көрсетеді.

Керемет химиялық инерттілік: Ерекше химиялық инерттілікке ие бола отырып, бұл жабын сегменттері химиялық коррозияға және тотығуға қарсы тұрады, сенімді қорғаныс қабатын қамтамасыз етеді және олардың өнімділігі мен қызмет ету мерзімін ұзартады.

Тегіс бет және дәл өңдеу: жабын сегменттерінде дәл өңдеу арқылы қол жеткізілетін тегіс және біркелкі бет бар. Бұл Aixron жабдығындағы басқа компоненттермен тамаша үйлесімділікті қамтамасыз етеді және процестің оңтайлы өнімділігін қамтамасыз етеді.

Aixtron жабдығына 14x4 дюймдік толық ішкі қақпақ сегменттерін қосу арқылы жоғары сапалы жартылай өткізгіш жұқа қабықшаның өсу процестеріне қол жеткізуге болады. Бұл жабын сегменттері жұқа қабықшаның өсуі үшін тұрақты және сенімді негізді қамтамасыз етуде шешуші рөл атқарады.

Біз Aixtron жабдығымен үздіксіз біріктірілген жоғары сапалы өнімдерді жеткізуді міндеттеміз. Бұл процесті оңтайландыру немесе жаңа өнімді әзірлеу болсын, біз техникалық қолдау көрсетуге және сізде болуы мүмкін кез келген сұрауларды шешуге осындамыз.

CVD SiC жабынының негізгі физикалық қасиеттері:

CVD SiC жабынының негізгі физикалық қасиеттері
Меншік	Типтік мән
Кристалл құрылымы	FCC β фазалық поликристалды, негізінен (111) бағытталған
Тығыздығы	3,21 г/см³
Қаттылық	2500 Викерс қаттылығы (500 г жүктеме)
Астық өлшемі	2~10мкм
Химиялық тазалық	99,99995%
Жылу сыйымдылығы	640 Дж·кг-1·К-1
Сублимация температурасы	2700℃
Иілу күші	415 МПа RT 4-нүкте
Жас модулі	430 Gpa 4pt иілісі, 1300℃
Жылу өткізгіштік	300Вт·м-1·К-1
Термиялық кеңею (CTE)	4,5×10-6К-1