SiC душ басы

Біздің зауыттан SiC душ басын сатып алуға сенімді бола аласыз.

Кремний карбиді материалдары тамаша жылулық, электрлік және химиялық қасиеттердің бірегей үйлесіміне ие, бұл оларды өнімділігі жоғары материалдар қажет болатын жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде қолдану үшін өте қолайлы етеді.

VeTek Semiconductor революциялық технологиясы химиялық буларды тұндыру процесі арқылы жасалған өте жоғары таза кремний карбиді материалы SiC душ басын өндіруге мүмкіндік береді.

SiC душ басы жартылай өткізгіш өндірісіндегі маңызды құрамдас болып табылады, ол MOCVD жүйелері, кремний эпитаксисі және SiC эпитаксисі процестері үшін арнайы әзірленген. Берік қатты кремний карбидінен (SiC) жасалған бұл компонент плазманы өңдеудің төтенше жағдайларына және жоғары температуралық қолданбаларға төтеп бере алады.

Кремний карбиді (SiC) өзінің жоғары жылу өткізгіштігімен, химиялық коррозияға төзімділігімен және ерекше механикалық беріктігімен танымал, бұл оны SiC душ басы сияқты SiC көлемді компоненттері үшін тамаша материал етеді. Газ душының басы технологиялық газдардың пластинаның бетіне біркелкі таралуын қамтамасыз етеді, бұл жоғары сапалы эпитаксиалды қабаттарды өндіру үшін өте маңызды. Көбінесе CVD-SiC-тен жасалған фокус сақиналары мен шеткі сақиналар плазманың біркелкі таралуын сақтайды және эпитаксиалды өсудің тиімділігі мен кірістілігін арттыра отырып, камераны ластанудан қорғайды.

Газ ағынын дәл басқаруы және тамаша материал қасиеттерімен SiC душ басы кремний эпитаксисі мен SiC эпитаксисіндегі озық қолданбаларды қолдайтын заманауи жартылай өткізгіштерді өңдеудің негізгі құрамдас бөлігі болып табылады.

VeTek Semiconductor төмен кедергісі бар кремний карбидті жартылай өткізгіш душ басын ұсынады. Бізде әртүрлі бірегей мүмкіндіктерді пайдалана отырып, озық керамикалық материалдарды тапсырыс бойынша жасау және жеткізу мүмкіндігі бар.

SiC душ басының өнім параметрі:

Өндірістік цех