- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Өнеркәсіп жаңалықтары
GaN негізіндегі төмен температуралы эпитаксистік технология
Бұл мақала негізінен GaN негізіндегі төмен температуралы эпитаксиалды технологияны, соның ішінде GaN негізіндегі материалдардың кристалдық құрылымын, 3. эпитаксиалды технология талаптары мен іске асыру шешімдерін, PVD принциптеріне негізделген төмен температуралы эпитаксиалды технологияның артықшылы......
Ары қарай оқу
CVD TaC пен агломерленген TaC арасындағы айырмашылық неде?
Бұл мақала алдымен TaC молекулалық құрылымы мен физикалық қасиеттерімен таныстырады және агломерленген тантал карбиді мен CVD тантал карбидінің, сондай-ақ VeTek Semiconductor танымал TaC жабынының өнімдерінің айырмашылықтары мен қолданбаларына назар аударады.
Ары қарай оқу
