- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Тантал карбиді технологиясының серпінділігі, SiC эпитаксистік ластануы 75%-ға төмендеді?
Жақында неміс ғылыми-зерттеу институты Fraunhofer IISB тантал карбиді жабын технологиясын зерттеу мен дамытуда серпіліс жасады және CVD тұндыру ерітіндісіне қарағанда икемді және экологиялық таза бүріккіш жабын ерітіндісін әзірледі және коммерцияланды.
Ары қарай оқу
Жартылайөткізгіштер өнеркәсібінде 3D басып шығару технологиясын зерттеушілік қолдану
Технологиялық қарқынды даму дәуірінде 3D басып шығару озық өндіріс технологиясының маңызды өкілі ретінде дәстүрлі өндірістің келбетін біртіндеп өзгертуде. Технологияның үздіксіз жетілуіне және шығындардың төмендеуіне байланысты 3D басып шығару технологиясы аэроғарыш, автомобиль өндірісі, медициналық......
Ары қарай оқу
Кремний(Si) эпитаксиясын дайындау технологиясы
Бір кристалды материалдар әртүрлі жартылай өткізгіш құрылғылардың өсіп келе жатқан өндірісінің қажеттіліктерін қанағаттандыра алмайды. 1959 жылдың соңында монокристалды материалды өсіру технологиясының жұқа қабаты - эпитаксиалды өсу әзірленді.
Ары қарай оқу
8 дюймдік кремний карбиді монокристалды өсіретін пеш технологиясына негізделген
Кремний карбиді жоғары температуралы, жоғары жиілікті, жоғары қуатты және жоғары вольтты құрылғыларды жасау үшін тамаша материалдардың бірі болып табылады. Өндіріс тиімділігін арттыру және шығындарды азайту үшін үлкен өлшемді кремний карбидті негіздерді дайындау маңызды даму бағыты болып табылады.
Ары қарай оқу
