- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Қытайлық компаниялар Broadcom көмегімен 5 нм чиптерді әзірлейді деп хабарлайды!
Шетелдік жаңалықтарға сәйкес, екі дереккөз 24 маусымда ByteDance американдық чиптерді жобалаушы Broadcom компаниясымен кеңейтілген жасанды интеллект (AI) есептеу процессорын әзірлеу үшін жұмыс істеп жатқанын анықтады, бұл ByteDance-ке Қытай арасындағы шиеленіс жағдайында жоғары сапалы чиптерді жеткі......
Ары қарай оқу
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8 дюймдік SiC чиптері желтоқсан айында өндіріске енгізіледі деп күтілуде!
SiC өнеркәсібіндегі жетекші өндіруші ретінде Sanan Optoelektronics-тің тиісті динамикасына салада кеңінен назар аударылды. Жақында Sanan Optoelectronics компаниясы 8 дюймдік трансформацияны, жаңа субстрат зауытын өндіруді, жаңа компанияларды құруды, мемлекеттік субсидияларды және басқа аспектілерді ......
Ары қарай оқу
Бір кристалды пештерде TaC қапталған графит бөлшектерін қолдану
Физикалық бу тасымалдау (PVT) әдісін қолдану арқылы SiC және AlN монокристалдарының өсуінде тигель, тұқым ұстағыш және бағыттаушы сақина сияқты маңызды компоненттер маңызды рөл атқарады. 2-суретте [1] көрсетілгендей, PVT процесі кезінде тұқым кристалы төменгі температура аймағында орналасады, ал SiC......
Ары қарай оқу
SiC эпитаксиалды өсу пешінің әртүрлі техникалық жолдары
Кремний карбидінің астары көптеген ақауларға ие және оларды тікелей өңдеуге болмайды. Чипті пластиналарды жасау үшін эпитаксиалды процесс арқылы оларға белгілі бір кристалды жұқа пленканы өсіру керек. Бұл жұқа қабық эпитаксиалды қабат болып табылады. Кремний карбидінің барлық дерлік құрылғылары эпит......
Ары қарай оқу
Кремний карбиді эпитаксисінің материалы
Кремний карбидінің эпитаксиалды қабатының материалы кремний карбиді болып табылады, ол әдетте жоғары қуатты электронды құрылғылар мен жарықдиодты шамдарды өндіру үшін қолданылады. Ол тамаша термиялық тұрақтылыққа, механикалық беріктікке және жоғары электр өткізгіштікке байланысты жартылай өткізгіште......
Ары қарай оқу
