Қатты SiC пластинасы

VeTek Semiconductor қатты SiC пластинасы жартылай өткізгішті эпитаксиалды процестердегі жоғары температураға және коррозияға төзімді орталарға арналған және жоғары тазалық талаптары бар вафельді өндіру процестерінің барлық түрлеріне жарамды. VeTek Semiconductor Қытайдағы вафельді тасымалдаушылардың жетекші жеткізушісі және жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде сіздің ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеді.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Қатты SiC пластинасы жартылай өткізгіш эпитаксиалды процестің жоғары температурасы, жоғары қысымы және коррозиялық ортасы үшін жасалған құрамдас бөлік болып табылады және жоғары тазалық талаптары бар вафельді өндірудің әртүрлі процестеріне жарамды.

Қатты SiC пластиналы тасушы пластинаның жиегін жауып, пластинаны қорғайды және оны дәл орналастырады, жоғары сапалы эпитаксиалды қабаттардың өсуін қамтамасыз етеді. SiC материалдары тамаша жылу тұрақтылығы, коррозияға төзімділігі және тамаша жылу өткізгіштігінің арқасында сұйық фазалық эпитаксис (LPE), химиялық бу тұндыру (CVD) және металл органикалық бу тұндыру (MOCVD) сияқты процестерде кеңінен қолданылады. VeTek Semiconductor компаниясының қатты SiC пластинасы бірнеше қатал орталарда тексерілген және пластинаның эпитаксиалды өсу процесінің тұрақтылығы мен тиімділігін тиімді қамтамасыз ете алады.

Vapor-phase epitaxial growth method

Қатты SiC пластинасыӨнім ерекшеліктері

● Өте жоғары температура тұрақтылығы: Қатты SiC пластиналары 1500°C дейінгі температурада тұрақты болып қала алады және деформацияға немесе крекингке бейім емес.

● Тамаша химиялық коррозияға төзімділік: Тазалығы жоғары кремний карбидті материалдарды пайдалана отырып, ол әртүрлі химиялық заттардың, соның ішінде күшті қышқылдардың, күшті сілтілердің және коррозиялық газдардың коррозиясына қарсы тұра алады, бұл пластинаның қызмет ету мерзімін ұзартады.

● Жоғары жылу өткізгіштік: Қатты SiC пластиналы тасымалдағыштары тамаша жылу өткізгіштікке ие және процесс кезінде жылуды тез және біркелкі тарата алады, бұл пластинаның температурасының тұрақтылығын сақтауға және эпитаксиалды қабаттың біркелкілігі мен сапасын жақсартуға көмектеседі.

● Төмен бөлшектердің генерациясы: SiC материалдары ластану қаупін азайтатын және жоғары тазалық үшін жартылай өткізгіш өнеркәсібінің қатаң талаптарын қанағаттандыра алатын табиғи төмен бөлшектерді генерациялау сипаттамасына ие.

Техникалық сипаттамалар:

Параметр	Сипаттама
Материал	Жоғары таза қатты кремний карбиді
Қолданылатын вафли өлшемі	4 дюйм, 6 дюйм, 8 дюйм, 12 дюйм (теңшелетін)
Максималды температураға төзімділік	1500°C дейін
Химиялық төзімділік	Қышқылдық және сілтіге төзімділік, фторидті коррозияға төзімділік
Жылу өткізгіштік	250 Вт/(м·К)
Бөлшектердің түзілу жылдамдығы	Өте төмен бөлшектердің генерациясы, жоғары тазалық талаптарына сәйкес келеді
Баптау опциялары	Өлшемі, пішіні және басқа да техникалық параметрлері қажетінше реттелуі мүмкін

Неліктен таңдауVeTek жартылай өткізгішқатты SiC пластиналы субстрат тасымалдаушы сақина?

● Сенімділік: Қатты тестілеуден және соңғы тұтынушылардың нақты тексеруінен кейін ол төтенше жағдайларда ұзақ мерзімді және тұрақты қолдауды қамтамасыз ете алады және процестің үзілу қаупін азайтады.

● Жоғары сапалы материалдар: Ең жоғары сапалы SiC материалдарынан жасалған, әрбір қатты SiC пластинасы саланың жоғары стандарттарына сәйкес келетініне көз жеткізіңіз.

● Реттеу қызметі: Арнайы процесс қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін бірнеше спецификациялар мен техникалық талаптарды теңшеуді қолдау.

Егер сізге өнім туралы қосымша ақпарат қажет болса немесе тапсырыс беру үшін бізге хабарласыңыз. Біз сізге өндіріс тиімділігін арттыруға және техникалық қызмет көрсету шығындарын азайтуға көмектесу үшін сіздің нақты қажеттіліктеріңізге негізделген кәсіби кеңестер мен шешімдерді ұсынамыз.