TaC қапталған кеуекті графит

TaC қапталған кеуекті графит – VeTek Semiconductor ұсынған жартылай өткізгішті өңдеудің жетілдірілген материалы. TaC қапталған кеуекті графит кеуекті графит пен тантал карбиді (TaC) жабынының артықшылықтарын, жақсы жылу өткізгіштігі мен газ өткізгіштігін біріктіреді. VeTek Semiconductor компаниясы сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады және біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

VeTek Semiconductor - Қытайдағы өндіруші және жеткізуші, ол негізінен көп жылдық тәжірибесі бар TaC қапталған кеуекті графитті шығарады. Сізбен іскерлік қарым-қатынас орнатуға үміттенеміз.

TaC қапталған материалы бар VeTek жартылай өткізгіш кеуекті графиті — кеуекті графитті тантал карбиді (TaC) жабынымен тамаша үйлестіретін революциялық жартылай өткізгішті өндіруші материал. TaC қапталған материалы бар бұл кеуекті графит тамаша өткізгіштікке және жоғары кеуектілікке ие, максималды кеуектілігі 75%, халықаралық өнеркәсіп рекордын орнатады. Тазалығы жоғары TaC жабыны кеуекті графиттің коррозияға және тозуға төзімділігін арттырып қана қоймайды, сонымен қатар өңдеу және коррозия сияқты мәселелерді тиімді шеше отырып, қосымша қорғаныс қабатын қамтамасыз етеді.

TaC жабыны бар кеуекті графитті пайдалану жартылай өткізгіштерді өндіру процесінің тиімділігі мен сапасын айтарлықтай жақсартуға мүмкіндік береді. Оның тамаша өткізгіштігі жоғары температура жағдайында материалдың тұрақтылығын қамтамасыз етеді және көміртегі қоспаларының көбеюін тиімді бақылайды. Сонымен қатар, кеуектілігі жоғары дизайн таза өсу ортасын сақтауға көмектесу үшін газ диффузиясының жақсы өнімділігін қамтамасыз етеді.

Біз тұтынушыларға жартылай өткізгіштерді өндіру өнеркәсібінің қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін TaC қапталған материалдары бар тамаша кеуекті графитпен қамтамасыз етуге дайынбыз. Зерттеу зертханаларында немесе өнеркәсіптік өндірісте болсын, бұл жетілдірілген материал тамаша өнімділік пен сенімділікке қол жеткізуге көмектеседі. Осы революциялық материал туралы көбірек білу және жартылай өткізгіштер өндірісін басқару үшін инновациялар саяхатыңызды бастау үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

PVT әдісі SiC Crystal Growth

TaC қапталған кеуекті графит өнімінің параметрі

TaC жабынының физикалық қасиеттері
Тығыздығы	14,3 (г/см³)
Меншікті эмиссия	0.3
Термиялық кеңею коэффициенті	6,3 10-6/К
Қаттылық (HK)	2000 HK
Қарсылық	1×10-5 Ом*см
Термиялық тұрақтылық	<2500℃
Графит өлшемі өзгереді	-10~-20ум
Қаптау қалыңдығы	≥20um типтік мән (35um±10um)