TaC қапталған бағыттаушы сақина

VeTek Semiconductor - Қытайдағы жетекші TaC қапталған бағыттаушы сақина өндірушісі және инноваторы. Біз көптеген жылдар бойы керамикалық жабынмен мамандандырылғанбыз. TaC қапталған бағыттаушы сақина негізінен монокристалды өсу өнімділігін арттыру үшін ауа ағынын бағыттау және бақылау үшін қолданылады. Қосымша ақпарат алу үшін бізді сұрауға қош келдіңіз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Жоғары сапалы TaC қапталған бағыттаушы сақинаны қытайлық VeTek Semiconductor өндірушісі ұсынады. Төмен бағамен жоғары сапалы TaC қапталған бағыттаушы сақинаны сатып алыңыз.

VeTek Semiconductor TaC қапталған бағыттаушы сақинаның өнімділігі мен мүмкіндіктері:

Жоғары температураға төзімділік, жоғары тығыздық және жоғары жинақылық; тамаша коррозияға төзімділік.

Құрамында қоспасы бар жоғары тазалық <5PPM.

Жоғары температурада аммиак пен сутегі газдарына химиялық инертті; тамаша термиялық тұрақтылық.

VeTek Semiconductor TaC қапталған бағыттаушы сақинаның өнімділігі мен мүмкіндіктері:

Кристаллдың өсуі.

Кремний карбидті эпитаксиалды реакторлар.

Газ турбиналық қалақтары.

Жоғары температураға және тотығуға төзімді саптамалар.

Өнім Сипаттамасы:

TaC жабыны - SiC-пен салыстырғанда жоғары термиялық тұрақтылықты көрсететін жаңа буынның жоғары температуралық материалы. Ол коррозияға төзімді, тотығуға төзімді және тозуға төзімді жабын ретінде қызмет етеді, 2000 ° C жоғары орталарға төтеп бере алады. Аэроғарыш саласында ультра жоғары температуралы компоненттер үшін, сондай-ақ үшінші буын жартылай өткізгіш монокристалды өсу және басқа салаларда кеңінен қолданылады.

TaC жабыны бар графит түтіктерінен басқа, VeTek Semiconductor сонымен қатар TaC жабыны бар сақиналарды, TaC жабыны бар тигельді, TaC жабыны бар кеуекті графитті, TaC жабыны бар графит қабылдағышты, TaC жабыны бар бағыттаушы сақинаны, TaC тантал карбидімен қапталған пластинаны, TaC жабын сақинасын, TaC жабыны бар графит қақпағын, Төмендегідей кристалды өсіретін пешке арналған кесек:

PVT әдісі SiC Crystal Growth

TaC қапталған бағыттаушы сақинаның өнім параметрі

TaC жабынының физикалық қасиеттері
Тығыздығы	14,3 (г/см³)
Меншікті эмиссия	0.3
Термиялық кеңею коэффициенті	6,3 10-6/К
Қаттылық (HK)	2000 HK
Қарсылық	1×10-5 Ом*см
Термиялық тұрақтылық	<2500℃
Graphite size changes	-10~-20ум
Қаптау қалыңдығы	≥20um типтік мән (35um±10um)