TaC қапталған дефлектор сақинасы

VeTek Semiconductor компаниясының TaC қапталған дефлектор сақинасы SiC кристалының өсу процестеріне арналған жоғары мамандандырылған компонент болып табылады. TaC жабыны кристалдардың өсу процесі кезінде жоғары температура мен коррозиялық орталарға төтеп беру үшін тамаша жоғары температураға төзімділік пен химиялық инерттілікті қамтамасыз етеді. Бұл құрамдас бөліктің тұрақты өнімділігі мен ұзақ қызмет ету мерзімін қамтамасыз етеді, ауыстыру жиілігін және тоқтау уақытын азайтады. Біз бәсекеге қабілетті бағамен сапалы өнімдерді ұсынуға дайынбыз және Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

VeTek Semiconductor - бұл Қытайдағы кәсіби TaC қапталған дефлектор сақинасының өндірушісі және жеткізушісі. Біздің TaC қапталған дефлектор сақинасы SiC кристалының өсу процестерінде қолдануға арналған жоғары мамандандырылған компоненттер болып табылады. Бұл компоненттер жоғары температураға төзімділікті, ерекше төзімділікті және теңдесі жоқ химиялық инерттілікті қажет ететін орталарда өте маңызды.

TaC қапталған дефлектор сақинасы жоғары тазалықтағы тантал карбидінен жасалған, ол тамаша жылу өткізгіштік пен жоғары температура мен термиялық соққыға өте төзімділікті ұсынады. Компоненттің TaC жабыны агрессивті химиялық заттардан және кристалдардың өсуінде жиі кездесетін қатал ортадан қосымша қорғаныс қабатын қамтамасыз етеді. Қаптаманың болуы құрамдас бөліктің беріктігі мен қызмет ету мерзімін арттырады, бірнеше циклде тұрақты өнімділікті сақтайды.

TaC қапталған дефлектор сақинасы 2200°C дейінгі температураға төтеп бере алады, бұл оны жоғары температуралық процестер үшін өте қолайлы етеді. TaC қапталған дефлектор сақинасы негізінен жартылай өткізгіш өнеркәсібінде, әсіресе кремний карбидінің кристалдық өсуі үшін қолданылады. Зерттеу үшін де, өнеркәсіптік масштабтағы кристалды өсіретін реакторлар үшін де қолайлы.

TaC қапталған дефлектор сақинасының өнім параметрі

TaC жабынының физикалық қасиеттері
Тығыздығы	14,3 (г/см³)
Меншікті эмиссия	0.3
Термиялық кеңею коэффициенті	6,3 10-6/К
Қаттылық (HK)	2000 HK
Қарсылық	1×10-5 Ом*см
Термиялық тұрақтылық	<2500℃
Графит өлшемі өзгереді	-10~-20ум
Қаптау қалыңдығы	≥20um типтік мән (35um±10um)